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为了理解观察到的实验现象，绿电研究团队进一步对V掺杂的单层MoS2和V掺杂的双层MoS2进行了第一性原理计算。不同于单层情况，相关V掺杂在双层MoS2的价带顶附近引入了大量间隙态（gap states）。

计算结果表明，合同汇总V掺杂会在单层MoS2的带隙中引入了主要由V-3d轨道（以及Mo-4d轨道）形成的缺陷能级，合同汇总在实空间中这些电子态的局域化程度很高，因此不参与导电（如图2a-b所示）。过渡金属硫族化合物（MX2，签订M=过渡金属，X=硫族元素）因其独特和丰富的物理性质成为二维材料研究领域最受关注的材料家族之一。管理该工作有望为层间相互作用调控研究提供一种新思路。

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在实验中，绿电研究团队首先利用MoO3和V2O5之间的固相反应制备出了Mo6V9040，作为钒（V）掺杂MoS2的前驱体。

通过低压球差校正透射电镜和拉曼等表征手段证实了V原子通过随机取代Mo原子位成功实现对MoS2的掺杂，相关且发现上下层材料之间存在一个掺杂浓度差。而目前的研究论文也越来越多地集中在纳米材料的研究上，合同汇总并使用球差TEM等超高分辨率的电镜来表征纳米级尺寸的材料，合同汇总通过高分辨率的电镜辅以EDX,EELS等元素分析的插件来分析测试，以此获得清晰的图像和数据并做分析处理。

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指南Fig.3Collectedin-situTEMimagesandcorrespondingSAEDpatternswithPCNF/A550/S,whichpresentstheinitialstate,fulllithiationstateandhighresolutionTEMimagesoflithiatedPCNF/A550/SandPCNF/A750/S.材料物理化学表征UV-visUV-visspectroscopy全称为紫外-可见光吸收光谱。目前材料的形貌表征已经是绝大多数材料科学研究的必备支撑数据，江省交易一个新颖且引人入胜的形貌电镜图也是发表高水平论文的不二法门。